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缪朝东机电技术名师工作室
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课堂砥砺

9、晶体三极管的伏安特性

作者:董庆来  日期: 2025-04-02  点击:

电工电子教研组电子教案

项目名称

三极管

任务名称

晶体极管的伏安特性

 

   

新授

 

  

2

知识与能力目标

1、理解极管的输入特性曲线

2、理解极管的输出特性曲线

3能判断三极管的工作状态

 

过程与方法目标

培养学生实践操作能力和逻辑分析能力

情感态度价值观

目标

培养学生参与、合作意识,激发学生兴趣肯探究精神

教学重点

三极管的伏安特性

 

教学难点

输入特性曲线、输出特性曲线的理解

教学后记

 

 

教学设计创新:

 

课堂总结:

 

 

 

 

 

 

 

任务导入

共射极放大电路中三极管的伏安特性曲线怎样?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

引入课堂的主题

任务分析

1、伏安特性曲线比较抽象,学生很难理解,借助多媒体,可以帮助学生建立曲线的概念。

 

任务实施(详细具体)

一、复习:

   1、共射极连接方式

   2、PN结的单向导电性

二、新授:

三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。

可以用实验描点法绘出,也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。

实验:(由教师课堂实验演示

电路图:

 

 

 

 

 

 

1、输入特性曲线:uCE一定时,uBEiB之间的关系。

与二极管特性相似

 

 

 

导通电压 UBE(on):硅管: (0.6 ~ 0.8) V,取 0.7 V

锗管: (0.2 ~ 0.3) V,取 0.3 V.

结论:1UBE = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似。这是因为UCE = 0时,集电极与发射极短路,相当于两个二极管并联,这样IBUCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。

     2UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移,而且当UCE的数值增至较大时(如UCE1V),各曲线几乎重合。

 

 

2、输出特性曲线:uBE一定时,uCEiC之间的关系。

1)截止区:  c、e开路

IB < 0, IC = 0

两个结反偏(UBUE

2)放大区:c、e间电阻线性可变

发射结正偏,集电结反偏(UC>UB>UE)

3)饱和区:c、e短路

IC ¹ b IB

两个结正偏(UCUB

 

 

 

 

(1)截止区:指IB=0的那条特性曲线以下的区域。在此区域里,三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态,三极管失去了放大作用,集电极只有微小的穿透电流IcEO

 

2)饱和区:在此区域内,对应不同IB值的输出特性曲线簇几乎重合在一起。也就是说,UCE较小时,Ic虽然增加,但Ic增加不大,即IB失去了对Ic的控制能力。这种情况,称为三极管的饱和。饱和时,三极管的发射给和集电结都处于正向偏置状态。三极管集电极与发射极间的电压称为集一射饱和压降,用UCES表示。UCES很小,通常中小功率硅管UCES0.5V;三极管基极与发射极之间的电压称为基一射饱和压降,以UCES表示,硅管的UCES08V左右。

     在临界饱和状态下的三极管,其集电极电流称为临界集电极电流,以Ics表示;其基极电流称为临界基极电流,以IBS表示。这时IcsIBS 的关系仍然成立。

 

3)放大区:在截止区以上,介于饱和区与击穿区之间的区域为放大区。在此区域内,特性曲线近似于一簇平行等距的水平线,Ic的变化量与IB的变量基本保持线性关系,即ΔIc=βΔIB,且ΔIc >>ΔIB ,就是说在此区域内,三极管具有电流放大作用。此外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱,当UCE1 V后,即使再增加UCEIc 几乎不再增加,此时,若IB 不变,则三极管可以看成是一个恒流源。

用直流电压表测得放大电路中晶体管T1各电极的对地电位分别为Vx = +10VVy = 0VVz = +0.7V,如图(a)所示, T2管各电极电位Vx = +0VVy = -0.3VVz = -5V,如图(b)所示,试判断T1T2各是何类型、何材料的管子,xyz各是何电极?

 

 (a)                                    (b)

工作在放大区的NPN型晶体管应满足VC>VB> VE PNP型晶体管应满足VC<VB< VE,因此分析时,先找出三电极的最高或最低电位,确定为集电极,而电位差为导通电压的就是发射极和基极。根据发射极和基极的电位差值判断管子的材质。

1) 在图(a)中,zy的电压为0.7V,可确定为硅管,因为Vx>Vz> Vy,,所以x为集电极,y为发射极,z为基极,满足VC>VB> VE,的关系,管子为NPN型。

2)在图(b)中,xy的电压为0.3V,可确定为锗管,又因Vz<Vy< Vx,,所以z为集电极,x为发射极,y为基极,满足VC<VB< VE的关系,管子为PNP型。

 

任务总结

极管的伏安特性曲线

三极管的输入特性曲线

三极管的输出特性曲线

 

任务拓展

 

5-6所示的电路中,晶体管均为硅管,β=30,试分析各晶体管的工作状态。

(a)                     (b)                      (c)

                                   5-6

:  1)因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压,故管子的发射结正偏,管子导通,基极电流:

因为 IC>ICS,所以管子工作在饱和区。

2)因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压,管子的发射结反偏,管子截止,所以管子工作在截止区。

3)因为基极偏置电源+2V大于管子的导通电压,故管子的发射结正偏,管子导通基极电流:

因为IC<ICS,所以管子工作在放大区。

 

课外任务

 

补充习题